创意电子宣布5nm HBM3 PHY和控制器经过硅验证，速度为8.4Gbps—im电竞app官网

来源：EETimes

先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）宣布，公司HBM3解决方案已通过8.4 Gbps硅验证，该方案采用台积电5纳米工艺技术。该平台在台积电2023北美技术研讨会合作伙伴展示区进行了展示。利用台积电业界领先的CoWoS®技术，平台包含功能齐全的HBM3控制器和PHY IP以及供应商HBM3储存器。

HBM储存器供应商制定了积极的路线图，将吞吐量和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将数据总线宽度加倍。但基本的DRAM时序参数不变，并且不断强化HBM控制器，以实现总线的充分利用。创意电子的HBM3控制器在随机访问时实现了90% 以上的总线利用率，同时保持低延迟。创意电子的HBM3 PHY在台积电5纳米技术上经过硅验证，并于今年年初在台积电3纳米技术上流片，并准备好支持尚在规划中的HBM3E/P存储器。PHY通过CoWoS-S和CoWoS-R中介层上HBM总线的角度路由进行了验证，抵消HBM PHY与HBM存储器之间的差异，从而实现ASIC布局灵活性。自2020年起，创意电子的HBM控制器和PHY IP就用于客户的HPC ASIC生产。

Level4自动驾驶计算机所需的计算量呈爆炸式增长，因此车用处理器纷纷采用基于2.5D小芯片的架构和HBM3存储器。在恶劣的车用环境和高可靠性要求下，2.5D互连的持续监控和故障车道的更换成为必要环节。创意电子将proteanTecs的运行状况和性能监控解决方案集成到其所有HBM和芯片间接口测试芯片中。proteanTecs的技术现已在创意电子的5nm HBM3 PHY中经过硅验证，速度高达8.4 Gbps。在任务模式下的数据传输期间，I/O信号质量受到持续监控，无需任何重新训练或中断。每个信号通道均受到单独监控，从而可以在凸块和走线缺陷导致系统运行故障之前识别并修复它们，进而延长芯片的使用寿命。创意电子总裁戴尚义博士表示：“我们很荣幸能够展示世界上首个8.4Gbps的HBM3控制器和PHY。利用台积电的7nm、5nm和 3nm技术，我们建立了完整的2.5D/3D小芯片IP产品系列。 凭借台积电3DFabric™技术（包括CoWoS、InFO和 TSMC-SoIC）的设计专业知识，我们为客户的AI/HPC/xPU/网络/ADAS产品提供强大而全面的解决方案。”

创意电子技术负责人Igor Elkanovich表示：“我们在2.5D小芯片产品领域累积了深厚的制造经验，不仅借此定义出最严谨的验证标准，更为旗下IP提供全方位的诊断功能，可满足全球先进汽车制造商最严格的品质条件。使用HBM3、GLink-2.5D/UCIe和GLink-3D接口融合2.5D和3D封装，可实现高度模块化、以小芯片为基础且不受限于光罩尺寸的新一代处理器。”

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