高精度霍尔电流传感器具有1.1kV隔离度—im电竞app官网

半导体芯科技编译

来源：Electonics Weekly

德州仪器（TI）在其最新的隔离电流传感器中采用了霍尔效应，并声称随温度变化的漂移为50ppm/°C，整个使用寿命内的漂移为±0.5%。

针对电动汽车充电器，TMCS1123可提供高达75Arms的版本，其隔离额定值为1.1kVdc，可承受5kVrms。

TI表示：“器件寿命工作电压的评估遵循VDE 0884-11加强绝缘标准，要求随时间变化的电介质击穿预测故障率低于1ppm，并且绝缘寿命至少为30年。”此外，考虑到安全裕度，设计目标是在900Vrms下，最小使用寿命为39年。

该公司表示，其最大灵敏度误差为±0.75%，“在整个使用寿命期间具有高精度和出色的稳定性，无需重新校准设备。”

对于控制环路，该类部件的带宽为250kHz，传播延迟为600ns。

电流路径由引线框架制成，25°C时的标称电阻为0.67mΩ。

有额定值为25mV/A、50mV/A、75mV/A、100mV/A或150mV/A的五个版本，每个版本都有输出中心电压为2.5V、1.65V或0.33V的三个版本——中心参考电压在引脚上引出，用于接下来的信号处理。

在5V电压下运行IC可提供最高范围——高达±96A。某些电源/中心电压组合会导致范围不对称——请参阅数据表中的表5-1。

它们全部采用相同的10.3 x 10.3 x 2.65mm SIOC封装，仅在一侧修改了两条长电流支路。

TI表示：“由于霍尔传感器芯片上存在静电屏蔽，因此只能测量输入电流产生的磁场，从而限制输入电压开关传递到电路”。关于磁场：“环境场抑制仅受霍尔元件匹配和封装引线框架耦合的限制，可将杂散场的误差减少超过40dB”。

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